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【引言】在硅电子技术中实现对二维范德华半导体的集成通常要求生产大规模、电投均一以及高度晶化的薄膜。【成果简介】针对这一问题，年度北京大学的叶堉（通讯作者）等人通过固固相转变和重结晶过程，年度开发了一种二维单晶的无缝外延生长法，可在非晶绝缘基底上成功制备晶圆级范德华2H二碲化钼半导体。